這篇科學(xué)論文討論了在現(xiàn)實(shí)系統(tǒng)中使用石墨烯的潛力，以及證明其具有競(jìng)爭(zhēng)力的性能、可靠性和大規(guī)模制造途徑的必要性。研究人員使用單層石墨烯電吸收調(diào)制器作為測(cè)試工具，并將它們集成到 300mm 試點(diǎn) CMOS 鑄造環(huán)境中。通過分析來自每個(gè)晶圓數(shù)百個(gè)器件的數(shù)據(jù)，他們確定并優(yōu)化了特定處理步驟對(duì)性能的影響。優(yōu)化后，他們展示了 50 dB/mm 的調(diào)制深度和高達(dá) 15.1 GHz 的電光帶寬，用于 25μm 長(zhǎng)的設(shè)備。這些結(jié)果是使用 CMOS 兼容工藝實(shí)現(xiàn)的，該工藝允許大批量、低成本制造。研究人員認(rèn)為，這項(xiàng)工作解決了石墨烯晶圓級(jí)集成的瓶頸，并且CMOS兼容的處理使基于石墨烯的器件與同一芯片上的其他光子學(xué)和電子學(xué)構(gòu)建塊的協(xié)集成成為可能。