海上風電場將成主流趨勢，并網瓶頸呼求智能電網

　　顯然，智能電網比傳統電網具有更強大的兼容性，為風電的發送、調配鋪平了道路。張松剛指出，智能電網會增加更多的儲能環節、更合理的分配能源消耗與調節電能流向、更多的引入電力電子裝置區改善電能質量、根據不同的用戶需求更好的調節供需雙方的電能平衡、高智能及網絡化的保護與控制設備的逐步推廣使用等諸多方面緩解風力發電并網所帶來的問題，并提高綠色能源在整個電網的利用率。

　　許浩平認為，在未來的幾年中智能電網在標準化、自動化和互動化方面還需加強，使其真正成為一個電力行業中的互聯網。

　　風電場防雷解決方案

　　雷一般可分為直擊雷和感應雷，直擊雷能量太大，一般只有大地才能夠承接，因此一般只能用引雷針來保護暴露在野外的電子設備。對風電場來說，盡管風塔采用金屬外殼，但為安全起見，最好還是要用引雷針或避雷針。

　　目前業內能提供引雷針的供應商主要有愛麗達、杜爾梅森和深圳雷晟，雷晟除了擁有自己品牌的引雷針以外，還代理前面兩家的引雷針產品。

　　風電場的機房防雷方案與基站大致相同，主要防雷目標是可能會受到從電源線過來的感應雷影響的電子設備，如逆變器。這一般采用由MOV(壓敏電阻)和GDT(氣體放電管)構成的組合防雷方案。目前業內主要的MOV供應商有Littelfuse、TDK-EPC、泰科電子、合肥宇潛電氣科技，GDT供應商主要有泰科電子、TDK-EPC、DEHN、OBO、深圳檳城電子，深圳天順和雷晟都是DEHN防雷器的代理商。

　　不管是保護交流110V/220V開關電源還是48V直流開關電源，傳統的防雷解決方法是：第一級防雷采用GDT，第二級防雷采用MOV。

　　MOV 為業界廣泛采用的主要原因是有耐沖擊電流大、響應時間快和成本低的優點，但眾所周知，MOV存在技術上至今無法突破的瓶頸，MOV在未受沖擊前，具有較好的絕緣阻抗，即漏電流很低；但當遭受感應雷的沖擊后，壓敏電阻會劣化，導致絕緣阻抗下降，漏電流加大，隨著外界的沖擊加劇，這種漏電流會加大導致電路板燒壞甚至短路起火。

　　目前業界采用了二種方法來解決這一問題，一是將壓敏電阻封殼，但這是一個治標不治本的方法，二是串入保險絲的方法，但這一種方法會出現一個矛盾：如果為防止較小的漏電流而使用較小電流的保險絲，這時通流量也會降低，否則較大的雷擊電流會燒壞小電流保險絲；如果為提高通流量而采用較大電流的保險絲，這時稍小的漏電流仍然會燒壞電路板的其它元件，甚至還會出現壓敏電阻燒壞了保險絲還沒有動作的情況。

　　陶瓷GDT雖然反應速度較MOV慢，但它是一種開關器件，遭雷擊時可快速泄放大電流，但它在遭雷擊后的導通壓降很低，一般只有10V左右，若直接與MOV并接在待保護電路的兩端，陶瓷GDT會一直處于導通狀態，也即存在業界所講的續流問題。

　　為了解決GDT的續流和MOV的漏電流問題，目前業內在交流開關電源上采用的方法是：第一級GDT再串接一個MOV，第二級采用兩個MOV串接，再在其中間接一個GDT到地，這樣不僅解決了第二級MOV遭雷擊時的電流泄放問題，而且有效解決了第一級的GDT續流和MOV漏流問題。

　　如果是48V直流開關電源，防雷解決方案還可以再簡化，第一級仍舊可采用GDT串接MOV的方法，第二級可采用一個MOV進一步降低雷擊尖峰電壓，但也可采用一個TVS二極管來替代。

　　如果能有效提高GDT的導通電壓，那么就不需再采用鉗位型MOV，也就是說可以拿掉第一級體積很大的MOV。幸運的是，最近深圳檳城電子率先在業內做到了這一點。它們從技術上突破了這一問題的瓶頸，開發出了命名為BH601的無續流陶瓷氣體放電管，它將導通電壓值提高到60V以上，從而可以直接用在48V直流電源的防雷防護上。

　　與傳統的壓敏電阻方案相比，BH601不僅從根本上解決了漏流的問題，而且陶瓷GDT的結構特點也決定了其在通流等級上可以輕松實現。BH601最大耐沖擊電流高達20KA，絕緣電阻超過1G歐姆，響應時間小于200ns，而且尺寸僅有8.3×24.8mm。

　　檳城電子FAE主管葉毓明說：“BH601是目前業內第一款真正的無續流GDT，而且現已通過了華為嚴格的實驗室測試。”

　　檳城電子是深圳一家專攻SMD陶瓷GDT的民營企業，目前主要有三個系列的產品。第一是BS系列小型化SMD GDT，最大耐沖擊電流達到500A，最小尺寸已做到1206。葉毓明表示：“1206是目前業內做到的最小尺寸SMD GDT，該系列GDT的每月出貨量目前已達到2-3KK。”

　　第二是BS系列半導體放電管TSS，今年7月底一條新的封裝線進入量產，目前每月出貨量在4KK以上。第三是BV系列瞬態抑制二極管TVS。

　　目前檳城電子的產品質量和性能已相當接近TDK-EPC。例如，TDK-EPC的GDT最高性能為：最大耐沖擊電流100KA，沖擊擊穿電壓為5.5KV，絕緣電阻為1G歐姆，寄生電容為0.5pF；檳城電子GDT的最高性能為：最大耐沖擊電流20KA，沖擊擊穿電壓7.5KV，絕緣電阻大于1G歐姆，寄生電容小于0.6pF。