這篇科學(xué)論文討論了在現(xiàn)實系統(tǒng)中使用石墨烯的潛力，以及證明其具有競爭力的性能、可靠性和大規(guī)模制造途徑的必要性。研究人員使用單層石墨烯電吸收調(diào)制器作為測試工具，并將它們集成到 300mm 試點 CMOS 鑄造環(huán)境中。通過分析來自每個晶圓數(shù)百個器件的數(shù)據(jù)，他們確定并優(yōu)化了特定處理步驟對性能的影響。優(yōu)化后，他們展示了 50 dB/mm 的調(diào)制深度和高達 15.1 GHz 的電光帶寬，用于 25μm 長的設(shè)備。這些結(jié)果是使用 CMOS 兼容工藝實現(xiàn)的，該工藝允許大批量、低成本制造。研究人員認為，這項工作解決了石墨烯晶圓級集成的瓶頸，并且CMOS兼容的處理使基于石墨烯的器件與同一芯片上的其他光子學(xué)和電子學(xué)構(gòu)建塊的協(xié)集成成為可能。

　　

　　

　　

　　晶圓級石墨烯制造

　　

　　研究人員對使用化學(xué)氣相沉積 (CVD) 生長的 6 英寸石墨烯層進行了處理，并使用 Graphenea 的專利轉(zhuǎn)移工藝轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體晶圓上。根據(jù)行業(yè)標準，使用鑲嵌接觸和硬掩模光刻在石墨烯層上構(gòu)建晶圓級器件。研究人員發(fā)現(xiàn)，影響最終器件調(diào)制深度（電光性能）的石墨烯質(zhì)量和電場均勻性都受到表面平整度的影響。為了提高平坦度，添加了均勻的覆蓋層，從而提高了器件產(chǎn)量。覆蓋層還減少了后續(xù)集成步驟對石墨烯層的影響。此外，構(gòu)建鑲嵌接觸所涉及的時間延遲會影響電吸收調(diào)制器 (EAM) 的接觸電阻和 3dB 帶寬。通過優(yōu)化這三個關(guān)鍵工藝步驟并實施與 CMOS 兼容的專用集成方法，研究人員實現(xiàn)了超過 95% 的器件良率，其損耗值、消光比和 3dB 帶寬可與之前僅在小得多的 CVD 石墨烯器件上展示的相媲美規(guī)模和實驗室條件。

　　

　　這項研究的發(fā)現(xiàn)可以擴展到開發(fā)一個復(fù)雜的基于石墨烯的光電器件庫，例如調(diào)制器、光電探測器和傳感器。研究人員的工作將支持基于石墨烯的光子器件的工業(yè)應(yīng)用，并為下一代數(shù)據(jù)通信和電信應(yīng)用鋪平道路。